IRFBE30STRL

功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> FET - 单

系列:-

标准包装:1,000

系列:MESH OVERLAY™

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V

功率 - 最大:40W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商设备封装:TO-220FP

包装:管件

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